maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB25H35CT-E3/81
Référence fabricant | MBRB25H35CT-E3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB25H35CT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB25H35CT-E3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 640mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB25H35CT-E3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB25H35CT-E3/81-FT |
HFA16TA60CS
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16TA60CSTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16TA60CSTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30TA60CS
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30TA60CSTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30TA60CSTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB20H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4052XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation