maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB25H35CT-E3/81
Référence fabricant | MBRB25H35CT-E3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB25H35CT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB25H35CT-E3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 640mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB25H35CT-E3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB25H35CT-E3/81-FT |
HFA16TA60CS
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16TA60CSTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16TA60CSTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30TA60CS
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30TA60CSTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30TA60CSTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB20H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel