maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-30CPQ150-N3
Référence fabricant | VS-30CPQ150-N3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-30CPQ150-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-30CPQ150-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.19V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CPQ150-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-30CPQ150-N3-FT |
VS-12CWQ06FNTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CWQ06FNTRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CWQ10FNPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CWQ10FNTRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CWQ10FNTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CWQ10FNTRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CWT10FN
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CWT10FNTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CWT10FNTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CWT10FNTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel