maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-12CWQ06FNTRRPBF
Référence fabricant | VS-12CWQ06FNTRRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-12CWQ06FNTRRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-12CWQ06FNTRRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 610mV @ 6A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12CWQ06FNTRRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-12CWQ06FNTRRPBF-FT |
VS-6CWQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ10FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ10FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ10FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6CWQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel