maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-2EJH02HM3/6B
Référence fabricant | VS-2EJH02HM3/6B |
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Numéro de pièce future | FT-VS-2EJH02HM3/6B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-2EJH02HM3/6B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 930mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | DO-221AC (SlimSMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EJH02HM3/6B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-2EJH02HM3/6B-FT |
VF10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel