maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-2EJH02HM3/6A
Référence fabricant | VS-2EJH02HM3/6A |
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Numéro de pièce future | FT-VS-2EJH02HM3/6A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® |
VS-2EJH02HM3/6A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 930mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | DO-221AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-2EJH02HM3/6A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-2EJH02HM3/6A-FT |
VF10150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VF20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel