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Référence fabricant | VS-20ETF10STRRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-20ETF10STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-20ETF10STRRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.31V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 400ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB (D²PAK) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETF10STRRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-20ETF10STRRPBF-FT |
UGB8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB8FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A42MX24-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YF484C6G
Intel
5SGSMD5K1F40C2LN
Intel
5SGSMD3E3H29I3N
Intel
A40MX04-PL84M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F780C8
Intel