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Référence fabricant | UGB8CTHE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-UGB8CTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UGB8CTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB8CTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UGB8CTHE3/45-FT |
MBRB745HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB750-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB750-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB750HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB750HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB750HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB750HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB760HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB7H35-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel