maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VS-20CTQ150-N3
Référence fabricant | VS-20CTQ150-N3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-20CTQ150-N3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-20CTQ150-N3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20CTQ150-N3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-20CTQ150-N3-FT |
UG10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10DCT-5300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10DCT-5301HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10DCT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
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EP20K200BC356-2
Intel