maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / UG10DCT-5410HE3/45
Référence fabricant | UG10DCT-5410HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-UG10DCT-5410HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
UG10DCT-5410HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG10DCT-5410HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UG10DCT-5410HE3/45-FT |
MBR2035CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2050CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2050CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2060CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144A
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-1SBG484C
Xilinx Inc.
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C7N
Intel
EPF10K50EQC208-3
Intel