maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR20H100CT-E3/4W
Référence fabricant | MBR20H100CT-E3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-MBR20H100CT-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR20H100CT-E3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 770mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20H100CT-E3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR20H100CT-E3/4W-FT |
FEP16GT-1HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-5300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-5400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16HT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16JT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel