maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-1EFH02-M3/I
Référence fabricant | VS-1EFH02-M3/I |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VS-1EFH02-M3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
VS-1EFH02-M3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 930mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 16ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1EFH02-M3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-1EFH02-M3/I-FT |
S1FLB-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLK-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3F6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FL45HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel