maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V3FM12-M3/H
Référence fabricant | V3FM12-M3/H |
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Numéro de pièce future | FT-V3FM12-M3/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP®, TMBS® |
V3FM12-M3/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 940mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | 220pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V3FM12-M3/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V3FM12-M3/H-FT |
SE12DJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE12DJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DB-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DBHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DDHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20DJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel