maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-183NQ100PBF
Référence fabricant | VS-183NQ100PBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-183NQ100PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-183NQ100PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 180A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 910mV @ 180A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4.5mA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 4150pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-67 HALF-PAK |
Package d'appareils du fournisseur | D-67 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-183NQ100PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-183NQ100PBF-FT |
BYM11-800HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-150HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-300HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-300HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel