maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VS-12TQ045STRR-M3
Référence fabricant | VS-12TQ045STRR-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-12TQ045STRR-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-12TQ045STRR-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 560mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.75mA @ 45V |
Capacité @ Vr, F | 900pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12TQ045STRR-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-12TQ045STRR-M3-FT |
VS-10ETF10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
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EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
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Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
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Lattice Semiconductor Corporation