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Référence fabricant | VS-10ETF12SLHM3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-10ETF12SLHM3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VS-10ETF12SLHM3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.33V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 310ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D2Pak) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-10ETF12SLHM3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-10ETF12SLHM3-FT |
VBT1080S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT1080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045BP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2080S-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045BP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation