maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / VQ1001P
Référence fabricant | VQ1001P |
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Numéro de pièce future | FT-VQ1001P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VQ1001P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 4 N-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 830mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 15V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | 14-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VQ1001P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VQ1001P-FT |
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