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VQ1001P-E3 Image

Vishay Siliconix VQ1001P-E3

Numéro de pièce MFG
VQ1001P-E3
quantité disponible
52270 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
VQ1001P-E3.pdf
VQ1001P-E3 Image

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VQ1001P-E3 Caractéristiques

Référence fabricant VQ1001P-E3
Numéro de pièce future FT-VQ1001P-E3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
VQ1001P-E3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 4 N-Channel
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 830mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse -
Package d'appareils du fournisseur 14-DIP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VQ1001P-E3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange VQ1001P-E3-FT

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