maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / VP0808L-G
Référence fabricant | VP0808L-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-VP0808L-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VP0808L-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 280mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP0808L-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VP0808L-G-FT |
SI3443DVTRPBF
Infineon Technologies
SI3493DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
TPC6006-H(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6008-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6009-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6010-H(TE85L,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6011(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6012(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6104(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC6107(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel