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Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011(TE85L,F,M)

Name: TPC6011(TE85L,F,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPC6011(TE85L,F,M)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (347 reviews)

Numéro de pièce MFG: TPC6011(TE85L,F,M)

quantité disponible: 34930 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIV MOSFET N-CH 30V 6A VS6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TPC6011(TE85L,F,M).pdf

TPC6011(TE85L,F,M) Caractéristiques

Référence fabricant	TPC6011(TE85L,F,M)
Numéro de pièce future	FT-TPC6011(TE85L,F,M)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIV
TPC6011(TE85L,F,M) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	VS-6 (2.9x2.8)
Paquet / caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TPC6011(TE85L,F,M) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TPC6011(TE85L,F,M)-FT

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