maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / VN10LPSTOA
Référence fabricant | VN10LPSTOA |
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Numéro de pièce future | FT-VN10LPSTOA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VN10LPSTOA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 270mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 625mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | E-Line (TO-92 compatible) |
Paquet / caisse | E-Line-3, Formed Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN10LPSTOA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VN10LPSTOA-FT |
ZVN4306A
Diodes Incorporated
VN2450N3-G
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TN0606N3-G
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
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M1A3P250-2PQG208
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5CGXFC9C6F23I7N
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