maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / VP2450N3-G
Référence fabricant | VP2450N3-G |
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Numéro de pièce future | FT-VP2450N3-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VP2450N3-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 740mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VP2450N3-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VP2450N3-G-FT |
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Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
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A42MX16-2PL84I
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LFXP2-30E-7FN484C
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