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VMO550-01F Image

IXYS VMO550-01F

Numéro de pièce MFG
VMO550-01F
quantité disponible
84680 Pièces
Prix de référence
USD 130.916
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
HiPerFET™ MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
VMO550-01F.pdf
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VMO550-01F Caractéristiques

Référence fabricant VMO550-01F
Numéro de pièce future FT-VMO550-01F
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HiPerFET™
VMO550-01F Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 590A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 110mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2000nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50000pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2200W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur Y3-DCB
Paquet / caisse Y3-DCB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VMO550-01F Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange VMO550-01F-FT

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