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Référence fabricant | STE60N105DK5 |
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Numéro de pièce future | FT-STE60N105DK5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ DK5 |
STE60N105DK5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1050V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 46A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 204nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6675pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 680W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STE60N105DK5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STE60N105DK5-FT |
SIPC03S2N03LX3MA1
Infineon Technologies
SIPC05N60C3X1SA1
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XCV50-6TQ144C
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5SGXMA5K1F40C2LN
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XC4013E-2HQ208I
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XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
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