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Référence fabricant | VLS252012HBU-3R3M |
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Numéro de pièce future | FT-VLS252012HBU-3R3M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS-HBU |
VLS252012HBU-3R3M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Metal |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.6A |
Courant - Saturation | 2.36A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 216 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS252012HBU-3R3M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS252012HBU-3R3M-FT |
VLS3010ET-4R7M
TDK Corporation
VLS3010T-100MR65
TDK Corporation
VLS3010T-2R2M1R3
TDK Corporation
VLS3010T-4R7MR80
TDK Corporation
VLS3010T-6R8MR75
TDK Corporation
VLS252012ET-2R2M
TDK Corporation
VLS252012ET-3R3M
TDK Corporation
VLS252012ET-100M
TDK Corporation
VLS201612ET-4R7M
TDK Corporation
VLS252010T-4R7M
TDK Corporation
LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
10AX057K4F35I3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel