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Référence fabricant | VLS3010T-6R8MR75 |
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Numéro de pièce future | FT-VLS3010T-6R8MR75 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLS |
VLS3010T-6R8MR75 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 750mA |
Courant - Saturation | 750mA |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 312 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLS3010T-6R8MR75 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLS3010T-6R8MR75-FT |
VLS4012T-100MR82
TDK Corporation
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TDK Corporation
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TDK Corporation
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel