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Référence fabricant | VLF3010ST-2R2M1R1 |
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Numéro de pièce future | FT-VLF3010ST-2R2M1R1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | VLF |
VLF3010ST-2R2M1R1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.1A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 92 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.118" L x 0.110" W (3.00mm x 2.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VLF3010ST-2R2M1R1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VLF3010ST-2R2M1R1-FT |
VLS252012HBU-150M
TDK Corporation
VLS252010HBU-150M
TDK Corporation
VLS252010HBU-3R3M
TDK Corporation
VLS252012HBU-3R3M
TDK Corporation
VLS252012HBU-6R8M
TDK Corporation
VLS252010HBU-100M
TDK Corporation
VLS252012HBU-100M
TDK Corporation
VLS252012HBU-220M
TDK Corporation
VLS201612CX-4R7M-1
TDK Corporation
VLS201610CX-R24M-1
TDK Corporation
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel