maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / VKM60-01P1
Référence fabricant | VKM60-01P1 |
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Numéro de pièce future | FT-VKM60-01P1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
VKM60-01P1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Puissance - Max | 300W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | ECO-PAC2 |
Package d'appareils du fournisseur | ECO-PAC2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VKM60-01P1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VKM60-01P1-FT |
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