maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VI20120SG-M3/4W
Référence fabricant | VI20120SG-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VI20120SG-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
VI20120SG-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.33V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262AA |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VI20120SG-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VI20120SG-M3/4W-FT |
VS-T40HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T70HFL60S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T85HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T40HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T110HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
Intel
5SGXMB9R2H43I2LN
Intel
5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
Intel