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Référence fabricant | VS-T110HF100 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-T110HF100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-T110HF100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 110A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20mA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-55 T-Module |
Package d'appareils du fournisseur | D-55 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-T110HF100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-T110HF100-FT |
CD0603-S0180
Bourns Inc.
CD0603-S0180R
Bourns Inc.
CD214A-R12000
Bourns Inc.
CD214A-B160LF
Bourns Inc.
CD214A-F1400
Bourns Inc.
CD214A-F1600
Bourns Inc.
CD214A-B1100LF
Bourns Inc.
CD214A-B360LF
Bourns Inc.
CD214A-R1100
Bourns Inc.
CD214A-R11000
Bourns Inc.
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel