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Référence fabricant | VFT760-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VFT760-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VFT760-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 7.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 7.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 700µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT760-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VFT760-M3/4W-FT |
GATELEAD1110008XPSA1
Infineon Technologies
GP2D005A065A
Global Power Technologies Group
GP2D005A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A060B
Global Power Technologies Group
GP2D015A120A
Global Power Technologies Group
GP2D024A060B
Global Power Technologies Group
GP2D036A060B
Global Power Technologies Group
GSXD300A170S2D5
Global Power Technologies Group
HS1D-13
Diodes Incorporated
JAN1N3595A-1
Microsemi Corporation
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel