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Référence fabricant | VFT5200-E3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VFT5200-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VFT5200-E3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.6V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT5200-E3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VFT5200-E3/4W-FT |
VS-40APS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80APF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel