maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VF40120C-M3/4W
Référence fabricant | VF40120C-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VF40120C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VF40120C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 120V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF40120C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VF40120C-M3/4W-FT |
BAT54S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel