maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV23C-G3-18
Référence fabricant | BAV23C-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAV23C-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAV23C-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV23C-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV23C-G3-18-FT |
MBR30H90PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR4035PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR4045PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR4050PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR4060PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR40H35PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR40H45PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR40H60PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL2030PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL2040PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel