maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR40H60PT-E3/45
Référence fabricant | MBR40H60PT-E3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR40H60PT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR40H60PT-E3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 40A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 830mV @ 40A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR40H60PT-E3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR40H60PT-E3/45-FT |
VS-42CTQ030STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ080GSPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ080GSTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ080GSTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100GSPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100GSTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100GSTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100STRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel