maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VBT6045C-M3/4W
Référence fabricant | VBT6045C-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VBT6045C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VBT6045C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 640mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 45V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT6045C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBT6045C-M3/4W-FT |
VB20150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20200C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20202C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20202G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20202G-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20M120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel