maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VB20202C-M3/8W
Référence fabricant | VB20202C-M3/8W |
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Numéro de pièce future | FT-VB20202C-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VB20202C-M3/8W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB20202C-M3/8W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VB20202C-M3/8W-FT |
VB20150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT6045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVB32-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT3045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT4045C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel