maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VBT3080C-M3/4W
Référence fabricant | VBT3080C-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VBT3080C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VBT3080C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 15A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 820mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 700µA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT3080C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VBT3080C-M3/4W-FT |
VB10150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB10170C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel