maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / VB10150C-M3/4W
Référence fabricant | VB10150C-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VB10150C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
VB10150C-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.41V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB10150C-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VB10150C-M3/4W-FT |
V60DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
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EP2SGX90FF1508C3
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EP1C20F400C8N
Intel