maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VB30100S-M3/4W
Référence fabricant | VB30100S-M3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-VB30100S-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VB30100S-M3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 910mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB30100S-M3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VB30100S-M3/4W-FT |
VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UHB10FT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1045HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1060HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel