maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MB10H100HE3_A/P
Référence fabricant | MB10H100HE3_A/P |
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Numéro de pièce future | FT-MB10H100HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MB10H100HE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 770mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10H100HE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB10H100HE3_A/P-FT |
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV21-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS33-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS34-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT41-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT41-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT42-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
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EX128-TQ100A
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XCKU5P-2FFVB676E
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M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
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XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
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Lattice Semiconductor Corporation