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Référence fabricant | BAT41-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BAT41-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAT41-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT41-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT41-TAP-FT |
GL34G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34G/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34J/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-100HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel