maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V3FM10-M3/I
Référence fabricant | V3FM10-M3/I |
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Numéro de pièce future | FT-V3FM10-M3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP®, TMBS® |
V3FM10-M3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 830mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 85µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 240pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V3FM10-M3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V3FM10-M3/I-FT |
S1FLD-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLD-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLG-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLG-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLG-M-08
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S1FLG-M-18
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S1FLJ-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLJ-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300TLS-FCG1152I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC208-3
Intel