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Référence fabricant | S1FLJ-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-S1FLJ-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S1FLJ-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 700mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.8µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1FLJ-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S1FLJ-GS18-FT |
SS2FH10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL04-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FH10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07G-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-1EFH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EFH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07D-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10FD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS07G-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FJHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
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EP3SL70F780C3
Intel