maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / V20150C-E3/4W
Référence fabricant | V20150C-E3/4W |
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Numéro de pièce future | FT-V20150C-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
V20150C-E3/4W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20150C-E3/4W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V20150C-E3/4W-FT |
40CPQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CPQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CPQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
40L15CW
Vishay Semiconductor Diodes Division
40L40CW
Vishay Semiconductor Diodes Division
40L45CW
Vishay Semiconductor Diodes Division
63CPQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
72CPQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division
80CPQ020
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA12PA120C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel