maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / 40CPQ080
Référence fabricant | 40CPQ080 |
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Numéro de pièce future | FT-40CPQ080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
40CPQ080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 770mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.25mA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
40CPQ080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 40CPQ080-FT |
VS-MBRD650CTTRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPH3006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPH6006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU3006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel