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Référence fabricant | VS-MBRD660CTTRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-VS-MBRD660CTTRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-MBRD660CTTRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 650mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | D-PAK (TO-252AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBRD660CTTRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-MBRD660CTTRPBF-FT |
V40PW60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40PWM10C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40PWM12CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40PWM15C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40PWM15CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40PWM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40PWM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40PWM60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40PWM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V6WL45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel