maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / V12PM12-M3/86A
Référence fabricant | V12PM12-M3/86A |
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Numéro de pièce future | FT-V12PM12-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V12PM12-M3/86A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12PM12-M3/86A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | V12PM12-M3/86A-FT |
GSD2004WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel