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Référence fabricant | SD101BWS-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-SD101BWS-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SD101BWS-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 15mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 1ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | 2.1pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD101BWS-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD101BWS-G3-18-FT |
VS-SD303C20S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD303C25S20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD400C04C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD400C08C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD400C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD400C16C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD400C20C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD400C24C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD403C04S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD403C08S10C
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel