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Référence fabricant | VS-SD303C25S20C |
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Numéro de pièce future | FT-VS-SD303C25S20C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-SD303C25S20C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 2500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 350A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.26V @ 1100A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 35mA @ 2500V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Clamp On |
Paquet / caisse | DO-200AA, A-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AA, A-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-SD303C25S20C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-SD303C25S20C-FT |
FGP30C-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP30CHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP30CHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP30D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP30D-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP30DHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
FGP30DHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1-1200GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1-1400GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1-1600GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel