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Renesas Electronics America UPA2812T1L-E2-AT

Name: UPA2812T1L-E2-AT
Brand: Renesas Electronics America
SKU: UPA2812T1L-E2-AT
Availability: InStock
Rating: 4.5 (502 reviews)

Numéro de pièce MFG: UPA2812T1L-E2-AT

quantité disponible: 47740 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: UPA2812T1L-E2-AT.pdf

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UPA2812T1L-E2-AT Caractéristiques

Référence fabricant	UPA2812T1L-E2-AT
Numéro de pièce future	FT-UPA2812T1L-E2-AT
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
UPA2812T1L-E2-AT Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3740pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.5W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-HWSON (3.3x3.3)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
UPA2812T1L-E2-AT Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	UPA2812T1L-E2-AT-FT

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